導入
炭化シリコン（原文）優れた物理的および化学的特性を備えたワイドバンドギャップ半導体材料です。その特性には、高いバンドギャップ幅（3.2EV）、高い分解電界強度（シリコンの10倍）、高温導電率（3.7W/cm・k）、高電子飽和ドリフト速度があり、高温、高圧、高周波環境でうまく機能することができます。さらに、SICデバイスは、伝導喪失が低く、スイッチング周波数が高く、放射線抵抗が強いため、エネルギー変換効率が大幅に向上します。
応用
sicパワーエレクトロニクス、新しいエネルギー車両、鉄道輸送、および再生可能エネルギーで広く使用されています。 Power Electronicsでは、高電圧および高電力デバイス（MOSFETやダイオードなど）の製造に使用されます。新しいエネルギー車では、モータードライブ、オンボード充電、高速充電システムで使用されます。太陽光発電と風力発電では、インバーターの効率が向上します。さらに、航空宇宙、5Gベースステーションなどの高温および高周波シナリオでも使用されています。SICテクノロジーは、効率的なエネルギー利用とグリーンエネルギー開発を促進しています。
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学年 |
化学組成（％） |
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sic |
FC |
Fe2O3 |
水分 |
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min以上 |
最大以下 |
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SIC 90 |
90.0 |
3.0 |
1.20 |
0.50
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SIC 88 |
88.0 |
4.0 |
1.50 |
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SIC 85 |
85.0 |
4.5 |
1.80 |
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SIC 80 |
80.0 |
5.0 |
3.0 |
|
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SIC 70 |
70.0 |
8.0 |
4.0 |
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サイズ
{{0}} mm、0-10 mm、0-5 mm、0。5-5 mm;等
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